Projekt megnevezése: Oxid alapú fotonikus kristály ohmos érintkezők hatékony GaN alapú PCSEL diódákhoz
Photohmic M.ERA-NET project
Támogató: Nemzeti Kutatási, Fejlesztési és Innovációs Alap
Kedvezményezett: HUN-REN Energiatudományi Kutatóközpont
Projekt azonosító: 2024-1.2.2-ERA_NET-2025-00025
Konzorciumvezető/Témavezető: Dr. Fogarassy Zsolt
A projekt támogatásának összege: 56 445 000 Ft
A projekt összköltsége: 56 445 000 Ft
Támogatásintenzitás: 100%
Futamidő: 2025.10.01-2028.09.30.
A projekt rövid leírása:
Motiváció
A GaN alapú fotonikus kristály (PC) felületkibocsátó lézerek (PCSEL) új, nagy teljesítményű és egymódusú dióda (LD) architektúrák, amelyek forradalmasíthatják az LD-piacot. Előállításukat azonban hátráltatja az a követelmény, hogy a PC-t az előállítása során nagy kihívást jelentő szubmikrométeres maratással GaN-be kell maratni, ami olyan hibákat generál, amelyek csökkentik az LD hatékonyságát.
Célok
A projekt célja a GaN alapú PCSEL-ek előállításának elősegítése a fotonikus kristályokat magába foglaló ZnO:Al alapú ohmos érintkezők fejlesztésével, amelyek áramelosztó rétegként működhetnek, így nincs szükség a PC-k előállítása során a GaN maratására, ezáltal elkerülhetők lehetnek az LD hatékonyságát negatívan befolyásoló a GaN-ben maratás során kialakuló hibák.
Lehetséges alkalmazások
Az új LD-k lézeres kijelzőkben, gépjárműiparban vagy anyagmegmunkálásban is alkalmazhatók lehetnek.
Hatás és lehetséges előnyök
Az ötlet paradigmaváltást jelent ennél a jelenleg felkapott kutatási témánál. A sikeres megvalósítás megkönnyítené az előállítást és a javítaná az előállított eszközben a GaN kristályszerkezetének minőségét, ami hatékonyabb LD-ket eredményezne alacsonyabb előállítási költségek mellett.
A projekt nemzetközi együttműködésben valósul meg, az M.ERA-NET támogatásával.
Project Coordinator: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Poland), Partners: Slovak Technical University, Institute of Electrical Engineering Slovak Academy of Sciences, Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, TopGaN Lasers inc.